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厂商型号

BC546BTFR 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-BC546BTFR

#1

数量:5735
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

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25+¥0.1541
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BC546BTFR产品详细规格

规格书 BC546BTFR datasheet 规格书
BC546-50 Datasheet
BC546BTFR datasheet 规格书
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 65V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 500mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -65
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 300(Typ)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 500
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最大集电极发射极电压 65
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 200@2mA@5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 65V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 110
直流电流增益hFE最大值 800
单位重量 0.006286 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 65 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 200 mV
集电极最大直流电流 0.1 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 300 MHz
最大功率耗散 0.5 W
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最低工作温度 - 65 C

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